GaNOszillationen.pngTypische Änderungen der Leitfähigkeit ΔG(B) in Einheiten von e²/h bei verschiedenen Temperaturen. Während Nanodrähte ohne Ge-Dotierung nur einen schwachen Lokalisierungseffekt zeigen, treten mit steigendem Ge-Gehalt universelle Leitfähigkeitsfluktuationen in den Nanodrähten auf.https://www.uni-giessen.de/de/fbz/zentren/lama/team/ag_elm/bilder/GaNOszillationen.png/viewhttps://www.uni-giessen.de/@@site-logo/logo.png
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Typische Änderungen der Leitfähigkeit ΔG(B) in Einheiten von e²/h bei verschiedenen Temperaturen. Während Nanodrähte ohne Ge-Dotierung nur einen schwachen Lokalisierungseffekt zeigen, treten mit steigendem Ge-Gehalt universelle Leitfähigkeitsfluktuationen in den Nanodrähten auf.