Februar 2010Das Bild zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme zur Kontrolle eines Photolithographieprozesses für die Herstellung von mikrostrukturierten Goldelektroden. Zu sehen ist ein Querschnitt von ca. 2 µm Photoresist und 200 nm Gold aufgebracht auf einem Siliziumsubstrat. Die unbelichteten Stellen des Resists (von der Photomaske verdeckt) wurden durch ein geeignetes Lösungsmittel entfernt. Bei der Wahl geeigneter Prozessparameter ergibt sich das im Bild zu sehende Unterschnittprofil. Dieses fördert ein nicht konformes Abscheiden der dünnen Goldschicht; das heißt die Seitenwände des Resists bleiben unbeschichtet und dienen im nasschemischen Liftoff Prozess zur Entfernung des Photoresists als Angriffsflächen für Lösungsmittel. Oben rechts in der Ecke ist die fertige Goldstruktur nach dem „lift off“ in der Aufsicht abgebildet. Bild eingereicht von P. Hartmannhttps://www.uni-giessen.de/de/fbz/fb08/Inst/physchem/janek/gallerypom/pom2010/pomfeb10/viewhttps://www.uni-giessen.de/@@site-logo/logo.png
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Februar 2010
Das Bild zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme zur Kontrolle eines Photolithographieprozesses für die Herstellung von mikrostrukturierten Goldelektroden. Zu sehen ist ein Querschnitt von ca. 2 µm Photoresist und 200 nm Gold aufgebracht auf einem Siliziumsubstrat. Die unbelichteten Stellen des Resists (von der Photomaske verdeckt) wurden durch ein geeignetes Lösungsmittel entfernt. Bei der Wahl geeigneter Prozessparameter ergibt sich das im Bild zu sehende Unterschnittprofil. Dieses fördert ein nicht konformes Abscheiden der dünnen Goldschicht; das heißt die Seitenwände des Resists bleiben unbeschichtet und dienen im nasschemischen Liftoff Prozess zur Entfernung des Photoresists als Angriffsflächen für Lösungsmittel. Oben rechts in der Ecke ist die fertige Goldstruktur nach dem „lift off“ in der Aufsicht abgebildet. Bild eingereicht von P. Hartmann
