August 2013Silbersulfidstrukturen im Rasterelektronenmikroskop: Die Abbildungen zeigen die regelmäßige Anordnung von ca. 1,5 µm großen Silbersulfid-Strukturen, die in Zusammenarbeit mit der AG Klar im Reinraum des 1. Physikalischen Instituts (JLU Gießen) hergestellt wurden. Dazu wurde mittels Elektronenstrahllithographie und thermischer Verdampfung eine regelmäßige Anordnung von Silberquadraten mit einer Deckschicht aus Chrom hergestellt, die anschließend im Ofen bei 80 °C einer Schwefelatmosphäre ausgesetzt wurde. Der „Verschwefelungsprozess“ führte dabei zum Wachstum von Silbersulfid an den freien Silberoberflächen der Quadrate und schließlich zur Ausbildung des oben gezeigten Silbersulfidnetzwerks. Ziel dabei ist es, die elektronische und ionische Leitfähigkeit dieser Netzwerkstrukturen zu untersuchen. (Bild eingereicht von Daniela Schön und Matthias Elm).https://www.uni-giessen.de/de/fbz/fb08/Inst/physchem/janek/gallerypom/GdB2013/BdM0813/viewhttps://www.uni-giessen.de/@@site-logo/logo.png
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August 2013
Silbersulfidstrukturen im Rasterelektronenmikroskop: Die Abbildungen zeigen die regelmäßige Anordnung von ca. 1,5 µm großen Silbersulfid-Strukturen, die in Zusammenarbeit mit der AG Klar im Reinraum des 1. Physikalischen Instituts (JLU Gießen) hergestellt wurden. Dazu wurde mittels Elektronenstrahllithographie und thermischer Verdampfung eine regelmäßige Anordnung von Silberquadraten mit einer Deckschicht aus Chrom hergestellt, die anschließend im Ofen bei 80 °C einer Schwefelatmosphäre ausgesetzt wurde. Der „Verschwefelungsprozess“ führte dabei zum Wachstum von Silbersulfid an den freien Silberoberflächen der Quadrate und schließlich zur Ausbildung des oben gezeigten Silbersulfidnetzwerks. Ziel dabei ist es, die elektronische und ionische Leitfähigkeit dieser Netzwerkstrukturen zu untersuchen. (Bild eingereicht von Daniela Schön und Matthias Elm).
